一种过渡金属硫化物及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111089128.6

申请日：

2021-09-16

公开(公告)号：

CN115820251B

公开(公告)日：

2024-04-05

发明(设计)人：

朱慧平熊国栋李博王磊郑中山李梦达

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

C09K11/68

IPC分类号：

C09K11/88 C01G39/06 C01G41/00 C01B19/04 H01L33/26

代理机构：

北京华沛德权律师事务所 11302

代理人：

马苗苗

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种过渡金属硫化物及其制备方法 [P].

朱慧平 ;

熊国栋 ;

李博 ;

王磊 ;

郑中山 ;

李梦达 .

中国专利 :CN115818717B ,2024-12-17

[2]

一种过渡金属硫化物合金制备方法 [P].

王一菁 ;

袁华堂 ;

焦丽芳 ;

宋大卫 ;

王亚平 ;

刘光 ;

任秋丽 .

中国专利 :CN101423200B ,2009-05-06

[3]

一种过渡金属硫化物纳米带及其制备方法 [P].

左勇刚 ;

薛国栋 ;

刘开辉 ;

张利波 ;

付立康 ;

张耕伟 ;

林国 .

中国专利 :CN117448948A ,2024-01-26

[4]

一种过渡金属硫化物纳米带及其制备方法 [P].

左勇刚 ;

薛国栋 ;

刘开辉 ;

张利波 ;

付立康 ;

张耕伟 ;

林国 .

中国专利 :CN117448948B ,2025-08-08

[5]

一种过渡金属硫化物的快速制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

王旭阳 ;

甘鑫 ;

黄正宏 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105819512A ,2016-08-03

[6]

一种过渡金属硫化物晶体管及其制备方法 [P].

钟旻 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN109411544A ,2019-03-01

[7]

一种过渡金属硫化物纳米洋葱、制备方法及其应用 [P].

冀梁 ;

申胜平 ;

盛唐 ;

曹宏宇 ;

冯威 ;

谭楷 .

中国专利 :CN114769581A ,2022-07-22

[8]

一种过渡金属硫化物薄膜及其制备方法和应用 [P].

成会明 ;

唐磊 ;

农慧雨 ;

滕长久 ;

刘碧录 .

中国专利 :CN113235049A ,2021-08-10

[9]

一种过渡金属硫化物的室温快速制备方法 [P].

王泽宇 ;

李蔓妮 ;

赵信毅 ;

朱强 ;

李洪亮 ;

雷玉成 .

中国专利 :CN114368775A ,2022-04-19

[10]

一种过渡金属硫化物插锂的制备方法 [P].

林碧洲 ;

许百环 .

中国专利 :CN1931725A ,2007-03-21

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