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一种原位生长MOF@Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>复合电极的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311425632.8
申请日：
2023-10-31
公开(公告)号：
CN117488337A
公开(公告)日：
2024-02-02
发明(设计)人：
杨草 赖侥鹏 冷文 王剑 吕斯濠
申请人：
东莞理工学院
申请人地址：
523000 广东省东莞市松山湖科技产业园区大学路1号
IPC主分类号：
C25B11/077
IPC分类号：
C25B11/065 C02F1/461 C02F1/467 B01D53/86 B01D53/58
代理机构：
北京华际知识产权代理有限公司 11676
代理人：
胡文俊
法律状态：
公开
国省代码：
山西省 晋中市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-02-02 公开 公开
2024-02-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C25B 11/077申请日:20231031
共 50 条
[1]
一种稀土金属-氮共掺杂Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>载网电极的制备方法 [P]. 
杨草 ;
李少杰 ;
陈爵钦 ;
王剑 ;
吴涵仪 .
中国专利 :CN116143242B ,2024-10-11
[2]
多孔Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜/掺硼Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>电极及其制备方法 [P]. 
杨草 ;
边心如 ;
冷文 ;
朱宴澎 ;
王剑 ;
吕斯濠 .
中国专利 :CN120776363A ,2025-10-14
[3]
一种碘腐蚀Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
林辉 ;
郑传恩 ;
梁逸扬 .
中国专利 :CN118458895A ,2024-08-09
[4]
一种共掺杂改性Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>电极的制备方法及应用及电极 [P]. 
杨草 ;
赖侥鹏 ;
李少杰 ;
朱宴澎 ;
王剑 ;
植永秀 ;
吕斯濠 .
中国专利 :CN119456046A ,2025-02-18
[5]
一种基于单原子层的Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>复合电极及其制备方法 [P]. 
王安祺 ;
温宇锴 ;
孟翠琳 ;
刘星鑫 .
中国专利 :CN116409855B ,2025-06-03
[6]
一种非金属元素原位掺杂Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>电极及其制备方法 [P]. 
林辉 ;
谢学文 .
中国专利 :CN115784386B ,2025-11-11
[7]
一种Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>掺杂Cu的电极材料的制备方法及其应用 [P]. 
卓琼芳 ;
王梓豪 ;
杨波 ;
王成龙 ;
徐彤熙 ;
罗育展 ;
邱永福 ;
李衍亮 ;
方嘉声 .
中国专利 :CN119080156A ,2024-12-06
[8]
一种TiC-Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>MXene复合材料的制备方法 [P]. 
刘璐 ;
王浪涛 ;
应国兵 .
中国专利 :CN118026686B ,2025-12-19
[9]
一种TiC-Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>MXene复合材料的制备方法 [P]. 
刘璐 ;
王浪涛 ;
应国兵 .
中国专利 :CN118026686A ,2024-05-14
[10]
一种Zr金属原子掺杂Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>复合电极的制备及其使用方法 [P]. 
王安祺 ;
刘星鑫 ;
卓琼芳 ;
孟翠琳 ;
温宇锴 ;
谢水波 .
中国专利 :CN115818796B ,2024-05-24
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