一种原位氢氟酸刻蚀Mo<sub>2</sub>Ga<sub>2</sub>C制备Mo<sub>2</sub>C MXene材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410269768.2

申请日：

2024-03-11

公开(公告)号：

CN118026178A

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

郅磊徐晓燕

申请人：

西北有色金属研究院

申请人地址：

710016 陕西省西安市未央区未央路96号

IPC主分类号：

C01B32/949

IPC分类号：

代理机构：

西安创知专利事务所 61213

代理人：

马小燕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 32/949申请日:20240311
2024-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种原位制备Mo<sub>2</sub>C-MoSe<sub>2</sub>异质结的方法 [P].

郅磊 ;

徐晓燕 ;

李建峰 ;

张平祥 .

中国专利 :CN118723994A ,2024-10-01

[2]

一种Mo<sub>2</sub>TiC<sub>2</sub> MXene材料的制备方法及应用 [P].

阙文修 ;

盛敏豪 ;

宾小青 .

中国专利 :CN118387877A ,2024-07-26

[3]

一种镍掺杂MoS<sub>2</sub>/CoS<sub>2</sub>/Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>复合材料的制备方法 [P].

朱文均 ;

张博峰 ;

赵明海 ;

肖宇晨 .

中国专利 :CN118581503A ,2024-09-03

[4]

Zn<sub>2</sub>Mo<sub>3</sub>O<sub>8</sub>@C复合吸波材料及其制备方法 [P].

闫婧 ;

叶卓栋 ;

张昕怡 ;

陈卫星 ;

张娜 .

中国专利 :CN118458825A ,2024-08-09

[5]

一种MoO<sub>2</sub>/Mo<sub>2</sub>C负载低密度C-C析氢电极材料的制备方法 [P].

黄剑锋 ;

王东平 ;

冯永强 ;

曹丽云 ;

黄优 ;

齐艺榕 ;

余泽翰 .

中国专利 :CN118727048A ,2024-10-01

[6]

一种MgAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub>-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>@C复合材料的制备方法 [P].

殷超凡 ;

肖乐冉 ;

范凯豪 ;

张景翔 ;

陈建军 ;

杨俊瑞 ;

王黎 ;

董宾宾 .

中国专利 :CN120172750A ,2025-06-20

[7]

一种Mo<sub>2</sub>V<sub>2</sub>C<sub>3</sub>T<sub>x</sub>功能化复合隔膜及其制备方法和应用 [P].

王思哲 ;

梁琦 ;

宋浩杰 ;

贾晓华 ;

杨进 .

中国专利 :CN118281479A ,2024-07-02

[8]

一种球状Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>@Cu<sub>3</sub>Mo<sub>2</sub>O<sub>9</sub>纳米薄膜电极材料的制备方法 [P].

王眉龙 ;

金会心 ;

王壹 .

中国专利 :CN119208028A ,2024-12-27

[9]

一种Sb<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/MoS<sub>2</sub>复合吸波材料的制备方法 [P].

罗驹华 ;

孙泽华 ;

王月 ;

郑妤洁 ;

吴玉涵 ;

戴子洋 .

中国专利 :CN119193107A ,2024-12-27

[10]

一种SnO<sub>2</sub>@g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>@CeO<sub>2</sub>复合材料、制备方法及其应用 [P].

王金权 ;

肖新华 ;

方巧 ;

季晶玲 .

中国专利 :CN120553751A ,2025-08-29

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