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薄膜晶体管及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202210071104.6
申请日
:
2022-01-21
公开(公告)号
:
CN116207133B
公开(公告)日
:
2024-03-15
发明(设计)人
:
罗杰
申请人
:
北京超弦存储器研究院
申请人地址
:
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12
IPC主分类号
:
H01L29/10
IPC分类号
:
H01L29/423
H01L29/786
H01L21/336
代理机构
:
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262
代理人
:
胡艳华;李丹
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-15
授权
授权
共 50 条
[1]
有机薄膜晶体管及其制备方法
[P].
桂海洋
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桂海洋
;
李明
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李明
;
王肖
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王肖
;
王军
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王军
;
魏斌
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魏斌
.
中国专利
:CN103594626A
,2014-02-19
[2]
有机薄膜晶体管及其制备方法
[P].
谢应涛
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谢应涛
.
中国专利
:CN106784313A
,2017-05-31
[3]
有机薄膜晶体管及其制备方法
[P].
徐洪远
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徐洪远
.
中国专利
:CN107845727A
,2018-03-27
[4]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
吴馨洲
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吴馨洲
;
陈征
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陈征
;
崔铮
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崔铮
.
中国专利
:CN105336790B
,2016-02-17
[5]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
陈传宝
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陈传宝
;
石跃
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石跃
;
马俊才
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马俊才
.
中国专利
:CN106960881A
,2017-07-18
[6]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
张新安
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张新安
;
蒋俊华
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蒋俊华
;
敖天勇
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敖天勇
;
张朋林
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张朋林
;
张伟风
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张伟风
.
中国专利
:CN106298961B
,2017-01-04
[7]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
罗杰
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
罗杰
.
中国专利
:CN116207132B
,2024-03-15
[8]
薄膜晶体管及其制造方法
[P].
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机构:
闫岩
;
何思远
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机构:
深圳大学
深圳大学
何思远
;
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机构:
葛磊
;
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机构:
张猛
;
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机构:
周晔
.
中国专利
:CN120035194A
,2025-05-23
[9]
有机薄膜晶体管及其制备方法
[P].
潘革波
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潘革波
;
杨丽媛
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杨丽媛
.
中国专利
:CN102280580A
,2011-12-14
[10]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
孟哲宇
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孟哲宇
;
段志勇
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段志勇
;
魏朝刚
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魏朝刚
.
中国专利
:CN105957814A
,2016-09-21
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