串行栅极晶体管和包括该晶体管的非易失性存储器设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310968130.3

申请日：

2023-08-02

公开(公告)号：

CN117545276A

公开(公告)日：

2024-02-09

发明(设计)人：

李仟颜宋基焕秋教秀成锡江

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B41/35

IPC分类号：

H10B41/41 H10B43/35 H10B43/40 H10B43/23 H10B41/23 G11C5/06 G11C16/04 G11C16/06 G11C5/02

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邵亚丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	公开	公开
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/35申请日:20230802

共 50 条

[1]

非易失性存储器晶体管和包括该存储器晶体管的设备 [P].

李明宰 ;

赵成豪 ;

金镐正 ;

朴永洙 ;

D.徐 ;

柳寅敬 .

中国专利 :CN104347520A ,2015-02-11

[2]

包括传输晶体管的非易失性存储器装置 [P].

李泽徽 ;

李载德 ;

李豪峻 ;

张盛弼 .

中国专利 :CN115643760A ,2023-01-24

[3]

五晶体管非易失性存储器单元 [P].

帕维尔·波普勒瓦因 ;

埃尔纳·何 ;

乌梅尔·卡恩 ;

恒扬·詹姆斯·林 .

中国专利 :CN102741936B ,2012-10-17

[4]

一种包括共用选择晶体管栅极的非易失性存储器单元 [P].

F·拉罗萨 ;

S·尼埃尔 ;

A·雷尼耶 .

中国专利 :CN204904840U ,2015-12-23

[5]

逻辑晶体管和非易失性存储器的制造方法 [P].

M·D·施罗夫 ;

M·D·霍尔 ;

F·K·小巴克尔 .

中国专利 :CN103794565A ,2014-05-14

[6]

晶体管和包括晶体管的半导体存储器件 [P].

李世薰 ;

林濬熙 ;

吴浚硕 ;

张盛弼 .

韩国专利 :CN119604023A ,2025-03-11

[7]

具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

R·A·劳 ;

R·穆拉利德哈 .

中国专利 :CN101569006B ,2009-10-28

[8]

电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管 [P].

黎俊霄 ;

许家荣 ;

赖宗沐 .

中国专利 :CN118676217A ,2024-09-20

[9]

非易失性存储器（NVM）单元、高压晶体管和高-k以及金属栅晶体管集成 [P].

阿桑加·H·佩雷拉 ;

洪庄敏 ;

康承泰 .

中国专利 :CN104377204B ,2015-02-25

[10]

晶体管和包括该晶体管的显示设备 [P].

郭度薰 ;

延得豪 ;

金旲桓 .

韩国专利 :CN120568814A ,2025-08-29

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