碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310779794.5

申请日：

2023-06-28

公开(公告)号：

CN116815320B

公开(公告)日：

2024-01-12

发明(设计)人：

刘曦

申请人：

通威微电子有限公司

申请人地址：

610299 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B23/00

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

杨勋

法律状态：

授权

国省代码：

四川省成都市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-12	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

林育仪 ;

廖建成 ;

陈增强 ;

余明轩 .

中国专利 :CN116695238B ,2024-03-22

[2]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120401012A ,2025-08-01

[3]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120465104A ,2025-08-12

[4]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[5]

碳化硅晶体生长用石墨组件及碳化硅晶体生长装置 [P].

钱昊 ;

梁刚强 ;

苏奕霖 ;

李强 ;

杨倩倩 .

中国专利 :CN220433065U ,2024-02-02

[6]

碳化硅晶体生长装置 [P].

段元浩 ;

浩瀚 ;

赵新田 .

中国专利 :CN117684257A ,2024-03-12

[7]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN114892275A ,2022-08-12

[8]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN114892275B ,2025-10-28

[9]

一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长设备 [P].

汪良 ;

张洁 .

中国专利 :CN215668293U ,2022-01-28

[10]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

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