一种高选择性蚀刻掺杂氧化硅/碳氮化硅的蚀刻液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310054778.X

申请日：

2023-02-03

公开(公告)号：

CN116103047B

公开(公告)日：

2024-03-12

发明(设计)人：

武昊冉张庭贺兆波李金航叶瑞李鑫徐子豪

申请人：

湖北兴福电子材料股份有限公司

申请人地址：

443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

IPC主分类号：

C09K13/08

IPC分类号：

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

成钢

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省宜昌市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种掺碳氮化硅/氧化硅的选择性蚀刻液 [P].

叶瑞 ;

严凡 ;

贺兆波 ;

姜飞 ;

张庭 ;

班昌胜 ;

冯凯 ;

王书萍 ;

樊澌 ;

罗月 ;

苏张轩 ;

李素云 .

中国专利 :CN119120026A ,2024-12-13

[2]

一种选择性蚀刻氮化硅及氧化硅和氮化钛的蚀刻液 [P].

李飞 ;

贺兆波 ;

冯凯 ;

班昌胜 ;

李素云 ;

苏张轩 ;

罗佳杨 ;

严凡 ;

樊澌 ;

徐泽 ;

黄莉 .

中国专利 :CN119614203A ,2025-03-14

[3]

一种高氧化硅/氮化硅选择比的BOE蚀刻液 [P].

李少平 ;

杨翠翠 ;

张庭 ;

贺兆波 ;

叶瑞 ;

李金航 ;

武昊冉 ;

欧阳克银 ;

许真 ;

董攀飞 ;

蒲帅 .

中国专利 :CN119307262A ,2025-01-14

[4]

一种氧化硅高选择性蚀刻液 [P].

武昊冉 ;

张庭 ;

贺兆波 ;

李金航 ;

许真 ;

董攀飞 ;

李誉 ;

王巍 .

中国专利 :CN116240023B ,2025-04-22

[5]

氮化硅的选择性蚀刻 [P].

卢欣亮 ;

杨海春 ;

葛振宾 ;

卢楠 ;

戴维·T·奥 ;

希恩-坦恩·卡欧 ;

梅·常 .

中国专利 :CN102160154A ,2011-08-17

[6]

氮化硅的选择性蚀刻 [P].

Z·陈 ;

Z·李 ;

A·王 ;

N·K·英格尔 ;

S·文卡特拉曼 .

中国专利 :CN105580118B ,2016-05-11

[7]

一种氮化硅和钨的选择性蚀刻液 [P].

叶瑞 ;

樊澌 ;

贺兆波 ;

姜飞 ;

张庭 ;

冯凯 ;

王书萍 ;

班昌胜 ;

严凡 .

中国专利 :CN117720924A ,2024-03-19

[8]

选择性蚀刻氮化硅的方法 [P].

杨玮盈 ;

高德丰 ;

约翰·苏迪约诺 ;

米哈伊尔·科里奥克 ;

保罗·E·吉 ;

蔡泰正 ;

菲利普·A·克劳斯 .

美国专利 :CN120981898A ,2025-11-18

[9]

选择性蚀刻氮化硅的方法 [P].

多琳·玮盈·杨 ;

高德丰 ;

米哈伊尔·科里奥克 ;

约翰·苏迪约诺 ;

保罗·E·吉 .

美国专利 :CN120981897A ,2025-11-18

[10]

选择性蚀刻氮化硅及氮化钛的蚀刻液及其制备方法 [P].

李少平 ;

王宏博 ;

贺兆波 ;

池汝安 ;

叶瑞 ;

冯凯 ;

班昌胜 ;

严凡 ;

李飞 ;

李素云 ;

樊澌 ;

苏张轩 ;

罗佳杨 .

中国专利 :CN119286526A ,2025-01-10

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