一种高结晶氮化碳膜的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210928202.7

申请日：

2022-08-03

公开(公告)号：

CN115282788B

公开(公告)日：

2024-02-02

发明(设计)人：

苏士岗杨传伦魏国强韩新磊王珍张伟何明亮绳则翠张心青潘冬梅

申请人：

黄河三角洲京博化工研究院有限公司

申请人地址：

256500 山东省滨州市博兴县经济开发区

IPC主分类号：

B01D71/02

IPC分类号：

B01D69/02 B01D67/00 B01D61/00

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李伟

法律状态：

授权

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种致密石墨相氮化碳膜的制备方法及其应用 [P].

苏士岗 ;

张伟 ;

杨传伦 ;

张心青 ;

王建平 ;

潘冬梅 .

中国专利 :CN113578072B ,2021-11-02

[2]

一种高结晶氮化碳纳米材料及其制备方法和应用 [P].

谭越洋 ;

刘星 ;

卢鑫 .

中国专利 :CN118908157A ,2024-11-08

[3]

一种高结晶氮化碳纳米材料及其制备方法和应用 [P].

谭越洋 ;

刘星 ;

卢鑫 .

中国专利 :CN118908157B ,2025-04-01

[4]

一种红色结晶氮化碳及其制备方法与应用 [P].

赵正亮 ;

韩红斐 ;

范俊梅 .

中国专利 :CN119100339A ,2024-12-10

[5]

低温制备高结晶性改性氮化碳的方法、改性氮化碳及其应用 [P].

张启涛 ;

李俊青 ;

陈超 ;

涂颖 ;

何科林 .

中国专利 :CN119218942A ,2024-12-31

[6]

一种珊瑚状高结晶氮化碳的制备方法 [P].

李树文 ;

吴洁 ;

杨洪蕾 .

中国专利 :CN120364658A ,2025-07-25

[7]

一种PVP掺杂诱导高结晶氮化碳的制备方法和应用 [P].

姜晶晶 ;

董双石 ;

刘盛达 ;

张雅楠 ;

赵博文 .

中国专利 :CN118026108A ,2024-05-14

[8]

一种高结晶氮化碳光催化材料的制备方法及应用 [P].

向全军 ;

李阳 ;

张岱南 ;

廖宇龙 ;

张怀武 ;

李颉 ;

金立川 .

中国专利 :CN110124719A ,2019-08-16

[9]

制备结晶氮化碳薄膜的装置 [P].

马志斌 ;

万军 ;

汪建华 ;

王卫红 .

中国专利 :CN2652948Y ,2004-11-03

[10]

一种半导体氮化碳薄膜的制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

甘鑫 ;

王旭阳 ;

黄正宏 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105925954B ,2016-09-07

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