发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311541165.5

申请日：

2023-11-20

公开(公告)号：

CN117253948B

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

印从飞张彩霞刘春杨胡加辉金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L33/06

IPC分类号：

H01L33/32 H01L33/24 H01L33/00

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

李素兰

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	授权	授权
2024-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/06申请日:20231120

共 50 条

[1]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117393671A ,2024-01-12

[2]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117393671B ,2024-03-08

[3]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117497655B ,2024-03-22

[4]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117497655A ,2024-02-02

[5]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117423786A ,2024-01-19

[6]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115295697B ,2022-12-30

[7]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117457825A ,2024-01-26

[8]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116169216B ,2025-08-05

[9]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117691015A ,2024-03-12

[10]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118782704A ,2024-10-15

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