一种高质量钙钛矿-有机半导体异质结制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311691680.1

申请日：

2023-12-11

公开(公告)号：

CN117897024A

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

李云龙高升喻学锋朱子尧

申请人：

中国科学院深圳先进技术研究院

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号

IPC主分类号：

H10K71/15

IPC分类号：

H10K30/20 H10K30/60

代理机构：

北京市诚辉律师事务所 11430

代理人：

姚幸茹;范盈

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-16	公开	公开
2024-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 71/15申请日:20231211

共 50 条

[1]

一种高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器 [P].

詹义强 ;

袁斯建 .

中国专利 :CN108365099A ,2018-08-03

[2]

一种压力协助制备高质量钙钛矿薄膜的方法 [P].

罗军生 ;

贾春阳 ;

万中全 .

中国专利 :CN110635050A ,2019-12-31

[3]

一种基于钙钛矿-有机半导体异质结的高性能光电晶体管及其制备方法 [P].

罗林保 ;

高阳 ;

黄瑞 ;

梁林 .

中国专利 :CN109904320B ,2019-06-18

[4]

一种常温制备高质量钙钛矿薄膜的方法 [P].

张青红 ;

张歆 ;

李耀刚 ;

王宏志 ;

侯成义 .

中国专利 :CN109802044A ,2019-05-24

[5]

一种基于高质量钙钛矿异质结的太阳能电池及制备方法 [P].

张跃 ;

李明华 ;

闫小琴 .

中国专利 :CN106356456A ,2017-01-25

[6]

一种制备高质量钙钛矿晶体薄膜的方法 [P].

李静 ;

瞿慧 ;

尹君 .

中国专利 :CN106058060A ,2016-10-26

[7]

二维单晶钙钛矿-有机半导体异质结光电晶体管及其制备方法和应用 [P].

江潮 ;

孙慧娟 ;

蔡小勇 .

中国专利 :CN114220919A ,2022-03-22

[8]

一种高质量钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳电池的制备方法 [P].

章文峰 ;

林埔安 ;

黄跃龙 .

中国专利 :CN111710782B ,2020-09-25

[9]

一种高质量钙钛矿吸光层的制备方法 [P].

杨松旺 ;

王云飞 ;

陈宗琦 .

中国专利 :CN120417715A ,2025-08-01

[10]

一种高质量有机-无机杂化钙钛矿材料及其制备方法 [P].

朱慧颖 ;

陈明明 ;

刘康媛 ;

张慧敏 .

中国专利 :CN119707706A ,2025-03-28

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