高电子迁移率晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311677085.2

申请日：

2019-12-06

公开(公告)号：

CN117855265A

公开(公告)日：

2024-04-09

发明(设计)人：

陈柏荣黄哲弘张峻铭徐仪珊叶治东黄信川廖文荣侯俊良

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L21/335

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王锐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20191206
2024-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

黄哲弘 ;

廖文荣 ;

侯俊良 .

中国专利 :CN112652659A ,2021-04-13

[2]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

李凯霖 ;

李志成 ;

陈威任 .

中国专利 :CN112750700B ,2024-01-30

[3]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

黄哲弘 ;

廖文荣 ;

侯俊良 .

中国专利 :CN118039685A ,2024-05-14

[4]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

苏柏文 ;

张明华 ;

吕水烟 .

中国专利 :CN113224153A ,2021-08-06

[5]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

黄哲弘 ;

廖文荣 ;

侯俊良 .

中国专利 :CN112652659B ,2024-02-13

[6]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

叶治东 ;

张祐嘉 ;

陈柏瑜 ;

王允俊 ;

李瑞池 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN117672849A ,2024-03-08

[7]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

郭俊良 ;

陈彦兴 ;

陈彦纶 ;

沈睿纮 ;

杨宗穆 ;

王俞仁 .

中国专利 :CN117525112A ,2024-02-06

[8]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

李凯霖 ;

李志成 ;

陈威任 .

中国专利 :CN117976705A ,2024-05-03

[9]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

苏柏文 ;

张明华 ;

吕水烟 .

中国专利 :CN118039686A ,2024-05-14

[10]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

杨柏宇 .

中国专利 :CN117855042A ,2024-04-09

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