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气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010072894.0
申请日：
2016-07-05
公开(公告)号：
CN111261503B
公开(公告)日：
2024-04-16
发明(设计)人：
高木康祐 笹岛亮太 小仓慎太郎 赤江尚德 山腰莉早 藤野敏树 寺崎昌人 南政克
申请人：
株式会社国际电气
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L21/205
IPC分类号：
H01L21/31 H01L21/67 C23C16/455
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
杨宏军
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-04-16 授权 授权
共 50 条
[1]
气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
高木康祐 ;
笹岛亮太 ;
小仓慎太郎 ;
赤江尚德 ;
山腰莉早 ;
藤野敏树 ;
寺崎昌人 ;
南政克 .
中国专利 :CN111261503A ,2020-06-09
[2]
气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
高木康祐 ;
笹岛亮太 ;
小仓慎太郎 ;
赤江尚德 ;
山腰莉早 ;
藤野敏树 ;
寺崎昌人 ;
南政克 .
中国专利 :CN106356289A ,2017-01-25
[3]
气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
高木康祐 ;
笹岛亮太 ;
小仓慎太郎 ;
赤江尚德 ;
山腰莉早 ;
藤野敏树 ;
寺崎昌人 ;
南政克 .
中国专利 :CN109943827B ,2019-06-28
[4]
气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
高木康祐 ;
笹岛亮太 ;
小仓慎太郎 ;
赤江尚德 ;
山腰莉早 ;
藤野敏树 ;
寺崎昌人 ;
南政克 .
中国专利 :CN110534461A ,2019-12-03
[5]
气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
高木康祐 ;
笹岛亮太 ;
小仓慎太郎 ;
赤江尚德 ;
山腰莉早 ;
藤野敏树 ;
寺崎昌人 ;
南政克 .
中国专利 :CN111243994A ,2020-06-05
[6]
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统 [P]. 
渡桥由悟 ;
森谷敦 .
中国专利 :CN107026077A ,2017-08-08
[7]
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统 [P]. 
渡桥由悟 ;
汤浅和宏 ;
森谷敦 ;
中矶直春 .
中国专利 :CN107180749A ,2017-09-19
[8]
气体供给部、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
佐佐木隆史 ;
上村大义 ;
吉田秀成 .
中国专利 :CN107924841B ,2018-04-17
[9]
半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统 [P]. 
森谷敦 ;
中矶直春 ;
渡桥由悟 ;
村上孝太郎 .
中国专利 :CN105609406B ,2016-05-25
[10]
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法 [P]. 
竹田刚 .
中国专利 :CN107204273B ,2017-09-26
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