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CVD单晶金刚石
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202280070099.5
申请日
:
2022-10-19
公开(公告)号
:
CN118119741A
公开(公告)日
:
2024-05-31
发明(设计)人
:
B·S·特鲁斯科特
S·利金斯
D·J·特维切
D·J·奇基
W·J·希尔曼
申请人
:
六号元素技术有限公司
申请人地址
:
英国
IPC主分类号
:
C30B25/02
IPC分类号
:
C30B29/04
C30B33/02
代理机构
:
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人
:
王海宁
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-05-31
公开
公开
2024-06-18
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/02申请日:20221019
共 50 条
[1]
CVD单晶金刚石
[P].
B·S·特拉斯科特
论文数:
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机构:
六号元素技术有限公司
六号元素技术有限公司
B·S·特拉斯科特
;
S·利金斯
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机构:
六号元素技术有限公司
六号元素技术有限公司
S·利金斯
;
A·M·埃德蒙斯
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六号元素技术有限公司
六号元素技术有限公司
A·M·埃德蒙斯
;
D·J·奇基
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机构:
六号元素技术有限公司
六号元素技术有限公司
D·J·奇基
;
W·J·希尔曼
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机构:
六号元素技术有限公司
六号元素技术有限公司
W·J·希尔曼
.
英国专利
:CN118119740A
,2024-05-31
[2]
CVD单晶金刚石材料
[P].
I·弗里尔
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I·弗里尔
;
S·L·盖根
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S·L·盖根
;
D·J·特维切
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D·J·特维切
;
J·M·道德森
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J·M·道德森
.
中国专利
:CN102770588B
,2012-11-07
[3]
CVD单晶金刚石及其制备方法
[P].
刘晖
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机构:
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
刘晖
;
徐帅
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
徐帅
;
吴晓磊
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
吴晓磊
;
屈艺谱
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
屈艺谱
;
曹博伦
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
曹博伦
;
康世豪
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
康世豪
;
闫东阳
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郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
闫东阳
;
夏曼宇
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机构:
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
夏曼宇
.
中国专利
:CN120384326A
,2025-07-29
[4]
单晶CVD合成金刚石层和单晶CVD合成金刚石物体
[P].
H·K·迪隆
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H·K·迪隆
;
N·M·戴维斯
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N·M·戴维斯
;
R·U·A·卡恩
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R·U·A·卡恩
;
D·J·特威切恩
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D·J·特威切恩
;
P·M·马蒂诺
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P·M·马蒂诺
.
中国专利
:CN108441944A
,2018-08-24
[5]
单晶金刚石、制造单晶金刚石的方法和包含单晶金刚石的工具
[P].
西林良树
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西林良树
;
辰巳夏生
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辰巳夏生
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角谷均
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角谷均
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植田晓彦
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植田晓彦
;
小林丰
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小林丰
.
中国专利
:CN106460226A
,2017-02-22
[6]
通过CVD制备的单晶金刚石
[P].
G·A·斯卡布鲁克
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G·A·斯卡布鲁克
;
P·M·马蒂诺
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P·M·马蒂诺
;
J·L·科林斯
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J·L·科林斯
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R·S·萨斯曼
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R·S·萨斯曼
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B·S·C·多恩
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B·S·C·多恩
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A·J·怀特黑德
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A·J·怀特黑德
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D·J·特维切
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D·J·特维切
.
中国专利
:CN1243855C
,2003-09-10
[7]
单晶金刚石
[P].
G·A·斯卡斯布鲁克
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G·A·斯卡斯布鲁克
;
P·M·马蒂诺
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P·M·马蒂诺
;
D·J·特威切恩
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D·J·特威切恩
.
中国专利
:CN101319360B
,2008-12-10
[8]
单晶金刚石
[P].
G·A·斯卡斯布鲁克
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G·A·斯卡斯布鲁克
;
P·M·马蒂诺
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P·M·马蒂诺
;
D·J·特威切恩
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D·J·特威切恩
.
中国专利
:CN1681976B
,2005-10-12
[9]
单晶金刚石
[P].
G·A·斯卡斯布鲁克
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G·A·斯卡斯布鲁克
;
P·M·马蒂诺
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P·M·马蒂诺
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D·J·特威切恩
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D·J·特威切恩
.
中国专利
:CN101319358A
,2008-12-10
[10]
单晶金刚石
[P].
G·A·斯卡斯布鲁克
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G·A·斯卡斯布鲁克
;
P·M·马蒂诺
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P·M·马蒂诺
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D·J·特威切恩
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D·J·特威切恩
.
中国专利
:CN101319361B
,2008-12-10
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