一种具有强吸收、低反射的MXene基电磁屏蔽薄膜及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311788071.8
申请日
2023-12-22
公开(公告)号
CN117801332A
公开(公告)日
2024-04-02
发明(设计)人
桂许春 刘学斌 杨少钿 黄炜强
申请人
中山大学
申请人地址
510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
IPC主分类号
C08J5/18
IPC分类号
C08L1/28 C08K7/00 C08K3/14 H05K9/00
代理机构
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
代理人
苏晶晶
法律状态
公开
国省代码
广东省 广州市
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共 50 条
[1]
一种MXene基绝缘电磁屏蔽薄膜及其制备方法 [P]. 
危仁波 ;
刘可忻 ;
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[2]
一种抗氧化MXene基电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
卓龙海 ;
缑鹏飞 ;
谢璠 ;
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[3]
一种低反射型电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法 [P]. 
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[5]
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[6]
多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜及其制备方法 [P]. 
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[7]
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[8]
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贺丽蓉 ;
赵辉 ;
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[9]
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[10]
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