双电源标准单元、双电源标准单元库及集成电路设计方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911319070.2

申请日：

2019-12-19

公开(公告)号：

CN111079371B

公开(公告)日：

2024-03-15

发明(设计)人：

廖春和

申请人：

武汉新芯集成电路制造有限公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

G06F30/392

IPC分类号：

G06F1/26

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):G06F 30/392变更事项:专利权人变更前:武汉新芯集成电路制造有限公司变更后:武汉新芯集成电路股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更后:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
2024-03-15	授权	授权

共 50 条

[1]

双电源标准单元、双电源标准单元库及集成电路设计方法 [P].

廖春和 .

中国专利 :CN111079371A ,2020-04-28

[2]

半导体集成电路、标准单元、标准单元库、设计方法及设计装置 [P].

当房哲朗 ;

冈本奈奈 ;

矢野纯一 .

中国专利 :CN100521204C ,2007-01-10

[3]

标准单元、标准单元库和半导体集成电路 [P].

矢野纯一 .

中国专利 :CN1710711A ,2005-12-21

[4]

集成电路和标准单元库 [P].

R.阿兹马特 .

中国专利 :CN107464802B ,2017-12-12

[5]

标准单元、集成电路、标准单元库及电子设备 [P].

陈志锋 ;

陈赞锋 ;

詹瞻 ;

张孝 ;

廖平 .

中国专利 :CN117727751A ,2024-03-19

[6]

标准单元库电路设计方法 [P].

蒋建伟 .

中国专利 :CN108846160A ,2018-11-20

[7]

标准单元、半导体集成电路及其设计方法、设计装置及标准单元库 [P].

新保宏幸 ;

矢野纯一 .

中国专利 :CN1945830A ,2007-04-11

[8]

单元、标准单元、标准单元库、使用标准单元的布局方法和半导体集成电路 [P].

一柳美和 ;

森胁俊幸 ;

当房哲朗 .

中国专利 :CN1794459A ,2006-06-28

[9]

标准单元及拼接方法、集成电路、标准单元库、电子设备 [P].

詹瞻 ;

钟建福 ;

陈志锋 ;

时顺利 ;

刘燕翔 .

中国专利 :CN117766533A ,2024-03-26

[10]

标准单元制备方法、标准单元、集成电路及系统芯片 [P].

杨展悌 ;

苏炳熏 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 ;

王云 .

中国专利 :CN112836462A ,2021-05-25

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