存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210927906.2
申请日
2022-08-03
公开(公告)号
CN117580365A
公开(公告)日
2024-02-20
发明(设计)人
郭崇永 金兴成
申请人
无锡华润微电子有限公司
申请人地址
214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6
IPC主分类号
H10B53/30
IPC分类号
H10B51/30
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
王晓玲
法律状态
实质审查的生效
国省代码
江苏省 无锡市
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共 50 条
[1]
存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法 [P]. 
金兴成 ;
杨晓芳 ;
郭崇永 ;
张建 .
中国专利 :CN114121953A ,2022-03-01
[2]
存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法 [P]. 
金兴成 ;
张建 ;
郭崇永 .
中国专利 :CN114121954B ,2025-03-28
[3]
存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法 [P]. 
金兴成 ;
张建 ;
郭崇永 .
中国专利 :CN114121954A ,2022-03-01
[4]
一种存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法 [P]. 
金兴成 ;
郭崇永 ;
张建 ;
刘元亚 .
中国专利 :CN118946157A ,2024-11-12
[5]
存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119403121A ,2025-02-07
[6]
存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119403121B ,2025-10-03
[7]
存储单元结构、存储单元阵列及其制备方法 [P]. 
冯道欢 ;
蒋懿 ;
胡敏锐 ;
廖昱程 ;
肖德元 ;
杨晨 ;
赵文礼 .
中国专利 :CN119110579A ,2024-12-10
[8]
存储单元结构、存储单元阵列及其制备方法 [P]. 
冯道欢 ;
蒋懿 ;
胡敏锐 ;
廖昱程 ;
肖德元 ;
杨晨 ;
赵文礼 .
中国专利 :CN119110579B ,2025-09-26
[9]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
黄猛 .
中国专利 :CN119486100A ,2025-02-18
[10]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
李晓杰 .
中国专利 :CN119451093A ,2025-02-14