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半导体结构、存储器结构及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310271342.6
申请日
:
2023-03-16
公开(公告)号
:
CN116471837B
公开(公告)日
:
2024-03-12
发明(设计)人
:
石峰
平延磊
贾礼宾
周俊
田超
申请人
:
北京超弦存储器研究院
申请人地址
:
102600 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12
IPC主分类号
:
H10B12/00
IPC分类号
:
H01L21/8234
H01L27/088
代理机构
:
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
高雪
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-12
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体结构、存储器结构及其制备方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN108933136A
,2018-12-04
[2]
存储器结构、半导体结构及其制备方法
[P].
韩清华
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
韩清华
;
金正起
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
金正起
;
曺奎锡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
曺奎锡
.
中国专利
:CN117542878A
,2024-02-09
[3]
半导体结构、存储器结构及其制备方法
[P].
巩金峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
巩金峰
.
中国专利
:CN110957320B
,2024-05-21
[4]
存储器结构、半导体结构及其制备方法
[P].
刘翔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
刘翔
.
中国专利
:CN117542834A
,2024-02-09
[5]
半导体结构、存储器结构及其制备方法
[P].
巩金峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
巩金峰
.
中国专利
:CN110957320A
,2020-04-03
[6]
半导体接触结构、存储器结构及其制备方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN109003938A
,2018-12-14
[7]
半导体结构及其制备方法、存储器
[P].
辛拓
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
辛拓
;
刘朝
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
刘朝
;
黑泽峘
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
黑泽峘
.
中国专利
:CN120076305A
,2025-05-30
[8]
半导体结构及其制备方法、存储器
[P].
韩欣茹
论文数:
0
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0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
韩欣茹
;
陈洋
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0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
陈洋
;
张仕然
论文数:
0
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0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
张仕然
.
中国专利
:CN117995759A
,2024-05-07
[9]
半导体结构及其制备方法、存储器
[P].
邵波
论文数:
0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
邵波
;
陈军
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
陈军
;
王震
论文数:
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0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
王震
.
中国专利
:CN118538761A
,2024-08-23
[10]
半导体结构及其制备方法、存储器
[P].
沈宇桐
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
沈宇桐
.
中国专利
:CN118380467A
,2024-07-23
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