半导体结构、存储器结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310271342.6
申请日
2023-03-16
公开(公告)号
CN116471837B
公开(公告)日
2024-03-12
发明(设计)人
石峰 平延磊 贾礼宾 周俊 田超
申请人
北京超弦存储器研究院
申请人地址
102600 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12
IPC主分类号
H10B12/00
IPC分类号
H01L21/8234 H01L27/088
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
高雪
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构、存储器结构及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108933136A ,2018-12-04
[2]
存储器结构、半导体结构及其制备方法 [P]. 
韩清华 ;
金正起 ;
曺奎锡 .
中国专利 :CN117542878A ,2024-02-09
[3]
半导体结构、存储器结构及其制备方法 [P]. 
巩金峰 .
中国专利 :CN110957320B ,2024-05-21
[4]
存储器结构、半导体结构及其制备方法 [P]. 
刘翔 .
中国专利 :CN117542834A ,2024-02-09
[5]
半导体结构、存储器结构及其制备方法 [P]. 
巩金峰 .
中国专利 :CN110957320A ,2020-04-03
[6]
半导体接触结构、存储器结构及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109003938A ,2018-12-14
[7]
半导体结构及其制备方法、存储器 [P]. 
辛拓 ;
刘朝 ;
黑泽峘 .
中国专利 :CN120076305A ,2025-05-30
[8]
半导体结构及其制备方法、存储器 [P]. 
韩欣茹 ;
陈洋 ;
张仕然 .
中国专利 :CN117995759A ,2024-05-07
[9]
半导体结构及其制备方法、存储器 [P]. 
邵波 ;
陈军 ;
王震 .
中国专利 :CN118538761A ,2024-08-23
[10]
半导体结构及其制备方法、存储器 [P]. 
沈宇桐 .
中国专利 :CN118380467A ,2024-07-23