改善器件载流子迁移率的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410070224.3

申请日：

2024-01-17

公开(公告)号：

CN117995779A

公开(公告)日：

2024-05-07

发明(设计)人：

吴天承郭振强王冉阳

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/8238

IPC分类号：

H01L21/28 H01L21/3215

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-07	公开	公开
2024-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8238申请日:20240117

共 50 条

[1]

改善MOS器件载流子迁移率的方法以及MOS器件制造方法 [P].

谢欣云 ;

黄晓橹 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102394220A ,2012-03-28

[2]

一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法 [P].

谢欣云 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102427043A ,2012-04-25

[3]

一种改善NMOS器件载流子迁移率的方法 [P].

谢欣云 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102427042B ,2012-04-25

[4]

改善MOS器件载流子迁移率的方法以及MOS器件制造方法 [P].

谢欣云 ;

黄晓橹 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102364664A ,2012-02-29

[5]

改善MOS器件载流子迁移率的方法以及MOS器件制造方法 [P].

谢欣云 ;

黄晓橹 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102386137A ,2012-03-21

[6]

一种提高CMOS器件载流子迁移率的方法 [P].

张冬明 ;

刘巍 .

中国专利 :CN103219287A ,2013-07-24

[7]

改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法 [P].

俞柳江 .

中国专利 :CN102412251A ,2012-04-11

[8]

提高载流子迁移率的CMOS器件的制作方法及器件结构 [P].

刘格致 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN102683286A ,2012-09-19

[9]

提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法及器件结构 [P].

刘格致 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN102664182A ,2012-09-12

[10]

提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法及器件结构 [P].

刘格致 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN102664152A ,2012-09-12

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