氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311615830.0

申请日：

2023-11-29

公开(公告)号：

CN117637948A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

刘春杨胡加辉金从龙顾伟

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L33/12

IPC分类号：

H01L33/00 H01L33/04

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

陈冬莲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/12申请日:20231129
2024-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘旺平 ;

乔楠 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109980056B ,2019-07-05

[2]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109904288A ,2019-06-18

[3]

氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810332B ,2024-05-17

[4]

氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810332A ,2024-04-02

[5]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

曹阳 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109830580B ,2019-05-31

[6]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109768133A ,2019-05-17

[7]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

丁杰 ;

秦双娇 ;

胡任浩 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109950368A ,2019-06-28

[8]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

曹阳 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109920896B ,2019-06-21

[9]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘旺平 ;

乔楠 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109920883A ,2019-06-21

[10]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

张奕 ;

董彬忠 ;

王江波 .

中国专利 :CN112133799A ,2020-12-25

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