半导体器件的制造方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311277036.X

申请日：

2023-09-28

公开(公告)号：

CN117478091A

公开(公告)日：

2024-01-30

发明(设计)人：

魏青云赖志国杨清华

申请人：

苏州汉天下电子有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区NE-39幢

IPC主分类号：

H03H3/02

IPC分类号：

H10N30/057 H10N30/06 H10N30/00 H10N30/50 H10N30/87 H03H9/17 H03H9/56 H03H9/58

代理机构：

北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653

代理人：

李非非

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省苏州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H03H 3/02申请日:20230928
2024-01-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体器件及半导体器件组件 [P].

李丽 ;

张仕强 ;

李宏军 ;

王胜福 ;

王磊 ;

张韶华 ;

李亮 ;

梁东升 ;

韩易 ;

李猛 ;

邓佳惠 ;

黄蕊 ;

胡笑宁 .

中国专利 :CN216146296U ,2022-03-29

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

肱冈健一郎 ;

久米一平 ;

井上尚也 ;

白井浩树 ;

川原润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102254916B ,2011-11-23

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

朴瑛琳 ;

安世衡 ;

姜相列 ;

安敞茂 ;

郑圭镐 .

中国专利 :CN112103290A ,2020-12-18

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

朴瑛琳 ;

安世衡 ;

姜相列 ;

安敞茂 ;

郑圭镐 .

韩国专利 :CN112103290B ,2025-12-23

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

朴瑛琳 ;

安世衡 ;

姜相列 ;

安敞茂 ;

郑圭镐 .

韩国专利 :CN120076323A ,2025-05-30

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

古田阳雄 ;

松田亮史 ;

上野修一 ;

黑岩丈晴 .

中国专利 :CN102157680B ,2011-08-17

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

古田阳雄 ;

松田亮史 ;

上野修一 ;

黑岩丈晴 .

中国专利 :CN101162755B ,2008-04-16

[8]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

姜埈求 ;

姜相列 ;

金润洙 ;

李珍秀 ;

丁炯硕 ;

曹圭镐 .

中国专利 :CN110504219A ,2019-11-26

[9]

半导体器件以及该半导体器件的制造方法 [P].

崔基峻 .

中国专利 :CN1992368A ,2007-07-04

[10]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

← 1 2 3 4 5 →