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酸化物半導体膜の作製方法及びトランジスタの作製方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20200184781
申请日：
2020-11-05
公开(公告)号：
JP7101739B2
公开(公告)日：
2022-07-15
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
C23C14/08
C23C14/58
H01L21/20
H01L21/363
H01L29/786
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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