水素吸蔵合金及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20020545208

申请日：

2001-11-20

公开(公告)号：

JPWO2002042507A1

公开(公告)日：

2004-03-25

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C22C27/06

IPC分类号：

C22C1/00 H01M4/38 H01M8/04 H01M8/10

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法律状态信息

共 15 条

[1]

Ｃｒ−Ｔｉ−Ｖ系水素吸蔵合金の製造法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2002088405A1 ,2004-08-19

[2]

低Ｃｏ水素吸蔵合金[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005014871A1 ,2006-10-05

[3]

低Ｃｏ水素吸蔵合金[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006085542A1 ,2008-06-26

[4]

ＴｉＡｌ合金材及びその製造方法、並びにＴｉＡｌ合金材の鍛造方法[ja] [P].

KUBUSHIRO KEIJI ;

BABA MASANOBU ;

SAKAKIBARA YOHEI ;

OTA YUTARO .

日本专利 :JP2022130467A ,2022-09-06

[5]

Ｃｕ−Ｂｅ合金およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014069303A1 ,2016-09-08

[6]

主合金と副合金系ネオジム鉄ホウ素磁石材料及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024512183A ,2024-03-19

[7]

ケイ素含有アルミニウム合金鋳塊の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014091936A1 ,2017-01-05

[8]

ケイ素含有アルミニウム合金鋳塊の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014091939A1 ,2017-01-05

[9]

アルミニウム合金原料の製造方法、アルミニウム合金鋳塊の製造方法、アルミニウム合金板の製造方法、めっき用アルミニウム合金基板の製造方法、磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク[ja] [P].

日本专利 :JP7784523B2 ,2025-12-11

[10]

希土類遷移金属合金粉末の製造方法[ja] [P].

ISHIKAWA TAKASHI ;

HYODO KAZUSHIGE .

日本专利 :JP2024123416A ,2024-09-12