ＩＩＩ族元素窒化物半導体基板[ja]

被引：0

申请号：

JP20210551577

申请日：

2021-04-20

公开(公告)号：

JP6978641B1

公开(公告)日：

2021-12-08

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/38

IPC分类号：

C30B9/10 C30B25/02 C30B33/00

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共 50 条

[1]

ＩＩＩ族元素窒化物半導体基板[ja] [P].

日本专利 :JP7254962B2 ,2023-04-10

[2]

ＩＩＩ族元素窒化物半導体基板[ja] [P].

日本专利 :JP7724844B2 ,2025-08-18

[3]

ＩＩＩ族元素窒化物基板およびＩＩＩ族元素窒化物基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7361990B1 ,2023-10-16

[4]

ＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置[ja] [P].

日本专利 :JP6614529B2 ,2019-12-04

[5]

ＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015053341A1 ,2017-03-09

[6]

ＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016068181A1 ,2017-08-24

[7]

ＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置[ja] [P].

日本专利 :JP6596692B2 ,2019-10-30

[8]

ＩＩＩ族元素窒化物基板の検査方法、ＩＩＩ族元素窒化物基板の製造方法および半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7777233B2 ,2025-11-27

[9]

半導体発光素子、ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007083768A1 ,2009-06-11

[10]

ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013105618A1 ,2015-05-11

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