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横方向電流注入電気光学デバイス、シリコン・フォトニック・チップおよび電気光学デバイスの作製方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200521336
申请日
:
2018-10-23
公开(公告)号
:
JP2021501462A
公开(公告)日
:
2021-01-14
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01S5/042
IPC分类号
:
G02B6/12
H01S5/026
H01S5/187
H01S5/343
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
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法律状态信息
共 50 条
[1]
圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013018604A1
,2015-03-05
[2]
可変電気コンダクタンスの電気化学デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2022554106A
,2022-12-28
[3]
電磁デバイスおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024502226A
,2024-01-18
[4]
ダブル・フォトダイオード電磁放射センサ・デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2023543652A
,2023-10-18
[5]
有機電子デバイス及び有機電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017520916A
,2017-07-27
[6]
光起電力デバイスおよび光起電力デバイスを動作させる方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015517742A
,2015-06-22
[7]
フラット光学デバイス用の誘電体充填ナノ構造シリカ基板[ja]
[P].
日本专利
:JP2022522416A
,2022-04-19
[8]
フォトニック電子集積回路チップおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024542941A
,2024-11-19
[9]
グラフェンデバイスおよびグラフェンデバイスの製造方法[ja]
[P].
TORRES ALONSO ALIAS
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
GRAPHENEA SEMICONDUCTOR S L U
GRAPHENEA SEMICONDUCTOR S L U
TORRES ALONSO ALIAS
.
日本专利
:JP2024091527A
,2024-07-04
[10]
マイクロ電子デバイスを形成する方法、並びに関連するマイクロ電子デバイス、メモリデバイス、及び電子システム[ja]
[P].
日本专利
:JP2024545632A
,2024-12-10
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