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シリコン基板の炭素濃度の測定方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220512520
申请日
:
2020-03-30
公开(公告)号
:
JP7250216B2
公开(公告)日
:
2023-03-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/66
IPC分类号
:
C30B29/06
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
シリコン結晶の炭素濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6646876B2
,2020-02-14
[2]
シリコン結晶中の炭素濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6838713B2
,2021-03-03
[3]
シリコン単結晶の炭素濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6098891B2
,2017-03-22
[4]
シリコン結晶の炭素濃度測定方法、シリコン結晶の炭素関連準位測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6300104B2
,2018-03-28
[5]
炭素濃度の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025008250A
,2025-01-20
[6]
単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6662330B2
,2020-03-11
[7]
単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7230746B2
,2023-03-01
[8]
シリコン中の炭素測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6817545B2
,2021-01-20
[9]
シリコン単結晶の炭素濃度測定方法及び装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6950639B2
,2021-10-13
[10]
シリコン結晶の窒素濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6638888B2
,2020-01-29
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