シリコン基板の炭素濃度の測定方法[ja]

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申请号
JP20220512520
申请日
2020-03-30
公开(公告)号
JP7250216B2
公开(公告)日
2023-03-31
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/66
IPC分类号
C30B29/06
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
シリコン結晶の炭素濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6646876B2 ,2020-02-14
[2]
シリコン結晶中の炭素濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6838713B2 ,2021-03-03
[3]
シリコン単結晶の炭素濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6098891B2 ,2017-03-22
[5]
炭素濃度の測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025008250A ,2025-01-20
[6]
単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6662330B2 ,2020-03-11
[8]
シリコン中の炭素測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6817545B2 ,2021-01-20
[9]
シリコン単結晶の炭素濃度測定方法及び装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6950639B2 ,2021-10-13
[10]
シリコン結晶の窒素濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6638888B2 ,2020-01-29