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メモリセル、製造方法、及び、半導体デバイス[ja]

被引：0
申请号：
JP20160543925
申请日：
2014-09-09
公开(公告)号：
JP2016537825A
公开(公告)日：
2016-12-01
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/8246
IPC分类号：
H01L27/105 H01L29/82 H01L43/08
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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