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炭素基板または金属基板上でのカーボンナノチューブの成長[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100547228
申请日
:
2009-02-17
公开(公告)号
:
JP5657393B2
公开(公告)日
:
2015-01-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C01B31/02
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
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法律状态信息
共 50 条
[1]
一または複数の空洞を備える金属基板に配置されたカーボンナノチューブ[ja]
[P].
日本专利
:JP2017536707A
,2017-12-07
[2]
一または複数の空洞を備える金属基板に配置されたカーボンナノチューブ[ja]
[P].
日本专利
:JP6875990B2
,2021-05-26
[3]
金属基板、カーボンナノチューブ電極及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5746830B2
,2015-07-08
[4]
単層カーボンナノチューブの製造方法[ja]
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
MARUYAMA TAKAHIRO
;
KONDO SHU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV MEIJO
UNIV MEIJO
KONDO SHU
.
日本专利
:JP2024149815A
,2024-10-18
[5]
カーボンナノウォール成長用金属基板とカーボンナノウォール付き金属基板とこれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7722683B2
,2025-08-13
[6]
スーパーキャパシタ用途向けの微細構造を有する金属基板上での架橋型カーボンナノチューブの直接成長[ja]
[P].
日本专利
:JP2023546283A
,2023-11-01
[7]
カーボンナノチューブ配向集合体生産用基材及びカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010092786A1
,2012-08-16
[8]
LIB陰極のためのバルブ金属基板上のナノスケール/ナノ構造のSiの被覆[ja]
[P].
日本专利
:JP2019532466A
,2019-11-07
[9]
LIB陰極のためのバルブ金属基板上のナノスケール/ナノ構造のSiの被覆[ja]
[P].
日本专利
:JP6761899B2
,2020-09-30
[10]
垂直に配向したカーボンナノチューブの製造方法、及びそのようなナノチューブを電極として使用する電気化学キャパシタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2020534231A
,2020-11-26
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