触媒酸化物の形成によって生成されたマイクロ電子デバイス分離を含む非プレーナトランジスタ、システム、および非プレーナトランジスタを製造する方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20170505089

申请日：

2014-08-05

公开(公告)号：

JP6376574B2

公开(公告)日：

2018-08-22

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

B01J21/04 B01J37/02 H01L21/336 H01L27/088 H01L27/12 H01L29/78

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共 50 条

[1]

薄膜トランジスタ、トランジスタアレイ基板およびトランジスタアレイ基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025535682A ,2025-10-28

[2]

トランジスタ、電気デバイス、およびトランジスタを生産するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024530367A ,2024-08-19

[3]

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを製造する方法[ja] [P].

TODA TATSUYA .

日本专利 :JP2024099070A ,2024-07-25

[4]

非晶質酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法、その薄膜トランジスタを含むディスプレイパネル[ja] [P].

日本专利 :JP6099314B2 ,2017-03-22

[5]

触媒酸化物の形成によってマイクロ電子デバイス分離を生成するための装置および方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017524257A ,2017-08-24

[6]

シリコン薄膜トランジスタ及び半導体酸化物薄膜トランジスタを有するディスプレイ[ja] [P].

日本专利 :JP2016534390A ,2016-11-04

[7]

シリコン薄膜トランジスタ及び半導体酸化物薄膜トランジスタを有するディスプレイ[ja] [P].

日本专利 :JP6324507B2 ,2018-05-16

[8]

シリコン薄膜トランジスタ及び半導体酸化物薄膜トランジスタを有するディスプレイ[ja] [P].

日本专利 :JP7247301B2 ,2023-03-28

[9]

シリコン薄膜トランジスタ及び半導体酸化物薄膜トランジスタを有するディスプレイ[ja] [P].

CHANG SHIH CHANG ;

HUNG MING-CHIN ;

YU CHENG-HO ;

CHANG TING-KUO ;

JAMSHIDI-ROUDBARI ABBAS ;

LIN SHANG-CHIH ;

KIM KYUNG-WOOK ;

HUANG CHUN-YAO ;

LEE SZU-HSIEN ;

CHEN YU-CHENG ;

OSAWA HIROSHI ;

PARK YOUNG BAE ;

GUPTA VASUDHA ;

RIN CHIN-WEI ;

CHOI JAE WON ;

TSAI TSUNG-TING .

日本专利 :JP2022023876A ,2022-02-08

[10]

シリコン薄膜トランジスタ及び半導体酸化物薄膜トランジスタを有するディスプレイ[ja] [P].

日本专利 :JP7631394B2 ,2025-02-18

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