メモリデバイス及び容量性エネルギー蓄積デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20190529573

申请日：

2017-11-30

公开(公告)号：

JP2020501363A

公开(公告)日：

2020-01-16

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01G4/38

IPC分类号：

H01G4/18 H01G4/33 H02J15/00 H10B12/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日

法律状态

法律状态信息

共 50 条

[1]

メモリデバイス及び容量性エネルギー蓄積デバイス[ja] [P].

DAVID REGINALD CARVER ;

BRADFORD WESLEY FULFER ;

CHASE ANDREPONT ;

SEAN CLAUDIUS HALL ;

SHAN WILLIAM REYNOLDS .

日本专利 :JP2022070979A ,2022-05-13

[2]

メモリデバイス及びメモリデバイスを形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023510877A ,2023-03-15

[3]

３次元メモリデバイス及び方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022159383A ,2022-10-17

[4]

光学デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2018532161A ,2018-11-01

[5]

強誘電体メモリデバイス消去[ja] [P].

日本专利 :JP2025530168A ,2025-09-11

[6]

３Ｄメモリデバイス及び３Ｄメモリデバイスを形成するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022501828A ,2022-01-06

[7]

医療用バルーンデバイス及び方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016506271A ,2016-03-03

[8]

医療用バルーンデバイス及び方法[ja] [P].

JAMES L GOEPFRICH ;

JOSHUA C HAARER ;

BRANDON C HEDBERG ;

BENJAMIN M TRAPP .

日本专利 :JP2022017388A ,2022-01-25

[9]

強誘電体酸化物メモリデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2020505790A ,2020-02-20

[10]

伝送デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2016503280A ,2016-02-01

← 1 2 3 4 5 →