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強誘電体膜の製造方法、強誘電体膜及び圧電素子[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130517803
申请日
:
2011-05-31
公开(公告)号
:
JPWO2012164753A1
公开(公告)日
:
2014-07-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10N30/853
IPC分类号
:
H10N30/074
H10N30/097
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
強誘電体膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013018232A1
,2015-03-05
[2]
強誘電体膜、ゾルゲル溶液、成膜方法及び強誘電体膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012008041A1
,2013-09-05
[3]
誘電体素子用基材とその製造方法、並びにこの誘電体素子用基材を用いた圧電体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012144185A1
,2014-07-28
[4]
圧電/電歪膜型素子及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006035723A1
,2008-05-15
[5]
圧電/誘電体セラミックス、圧電素子及び発音体[ja]
[P].
日本专利
:JP2023090233A
,2023-06-29
[6]
強誘電体メモリ装置およびその製造方法、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007029289A1
,2009-03-26
[7]
強誘電体メモリ装置およびその製造方法、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007043128A1
,2009-04-16
[8]
強誘電体メモリ装置およびその製造方法、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007086126A1
,2009-06-18
[9]
圧電膜及びその製造方法並びに圧電膜を用いた圧電部品[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018008651A1
,2019-05-16
[10]
誘電体磁器組成物、誘電体デバイス及びそれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015119112A1
,2017-03-23
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