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圧電層と関連するメモリ、メモリシステム、および方法を用いるスピントランジスタ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150511714
申请日
:
2013-05-09
公开(公告)号
:
JP2015520949A
公开(公告)日
:
2015-07-23
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/8246
IPC分类号
:
H10N50/10
H10N50/80
H01L27/105
H01L29/82
H10N30/00
H10N50/01
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 4 条
[1]
垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材[ja]
[P].
日本专利
:JP5917045B2
,2016-05-11
[2]
垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに軟磁性薄膜層を有する垂直磁気記録媒体。[ja]
[P].
日本专利
:JP6113817B2
,2017-04-12
[3]
複数の超伝導量子ビットにおけるいずれか2つのビットを結合する方法およびそのシステム[ja]
[P].
日本专利
:JP2020528662A
,2020-09-24
[4]
磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造に用いる炭素原料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014175392A1
,2017-02-23
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