圧電素子を有する応力型半導体検出器[ja]

被引：0

申请号：

JP20150527024

申请日：

2013-08-14

公开(公告)号：

JP2015531862A

公开(公告)日：

2015-11-05

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

G01T1/24

IPC分类号：

G01N23/04 G01N23/08 G01N23/083 H01L27/144 H01L27/146

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共 50 条

[1]

高電圧半導体素子及びその素子を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018511184A ,2018-04-19

[2]

誘電半導体膜を有する静電レンズ[ja] [P].

日本专利 :JP2016522973A ,2016-08-04

[3]

有機半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010061595A1 ,2012-04-26

[4]

半導体接触層を有する光電子半導体部品および光電子半導体部品を製造するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021534590A ,2021-12-09

[5]

金属－半導体－金属光検出器[ja] [P].

DEEB CLAIRE ;

JEAN-LUC PELOUARD ;

PARDO FABRICE .

日本专利 :JP2024167162A ,2024-12-03

[6]

輻射線検出用半導体素子及び輻射線検出用半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016509374A ,2016-03-24

[7]

フィン構造を有する半導体装置、およびフィン構造を有する半導体装置を形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015517220A ,2015-06-18

[8]

薄伝導性素子を有する化学装置[ja] [P].

日本专利 :JP2016510894A ,2016-04-11

[9]

電力用半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018150451A1 ,2019-07-11

[10]

間接遷移半導体材料を用いた量子構造を有する光電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JP6259843B2 ,2018-01-10

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