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高密度低エネルギープラズマによる半導体表面の界面処理[ja]
被引：0
申请号：
JP20160518438
申请日：
2014-09-04
公开(公告)号：
JP2017504176A
公开(公告)日：
2017-02-02
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/3065
IPC分类号：
H01L21/304
H01L21/31
H01L21/316
H01L21/336
H01L29/78
H05H1/46
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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