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陽電子を弱く吸収する物体の陽電子−放射体−密度分布を二次元的に撮像する方法及び装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190546218
申请日
:
2018-03-06
公开(公告)号
:
JP2020515824A
公开(公告)日
:
2020-05-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G01N23/046
IPC分类号
:
G01T1/00
G01T1/20
G01T1/29
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态信息
共 50 条
[1]
陽電子を弱く吸収する物体の陽電子-放射体-密度分布を二次元的に撮像する方法及び装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7113836B2
,2022-08-05
[2]
二次元分布を測定する方法及び装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5646147B2
,2014-12-24
[3]
電子密度分布を制御するための方法及び装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2024500655A
,2024-01-10
[4]
三次元物体表面の二次元画像を取得する装置及び方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6000260B2
,2016-09-28
[5]
平坦でない二次元及び三次元の面に導体を形成する方法、及び平坦でない二次元及び三次元の面を電気的に接続するシステム[ja]
[P].
日本专利
:JP6921475B2
,2021-08-18
[6]
電極に対するX線を用いた二次元測定の方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6001604B2
,2016-10-05
[7]
地球大気圏内の電子密度分布を決定する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020509393A
,2020-03-26
[8]
地球大気圏内の電子密度分布を決定する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7060622B2
,2022-04-26
[9]
電子密度分布の適応型モデルを決定する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020508456A
,2020-03-19
[10]
二次元材料を移すための方法及び装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2021524833A
,2021-09-16
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