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有機半導体材料、有機半導体組成物、有機薄膜及び電界効果トランジスタ並びにその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120532979
申请日
:
2011-09-06
公开(公告)号
:
JPWO2012033073A1
公开(公告)日
:
2014-01-20
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L51/30
IPC分类号
:
C08K5/45
C08L65/00
H01L21/336
H01L29/786
H01L51/05
H01L51/40
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
有機半導体材料、有機半導体組成物、有機薄膜及び電界効果トランジスタ並びにその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5913107B2
,2016-04-27
[2]
有機化合物、有機半導体材料、有機薄膜及びその製造方法、有機半導体組成物、並びに有機半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016152889A1
,2017-04-27
[3]
有機電界効果トランジスタ及び有機半導体材料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012118174A1
,2014-07-07
[4]
有機化合物、有機半導体材料、有機薄膜及びその製造方法、有機半導体組成物、並びに有機半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6155401B2
,2017-06-28
[5]
有機薄膜トランジスタ、有機半導体材料、有機半導体膜、及び有機半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007088768A1
,2009-06-25
[6]
有機電界効果トランジスタ及び有機半導体材料[ja]
[P].
日本专利
:JP5840197B2
,2016-01-06
[7]
有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006098121A1
,2008-08-21
[8]
有機電界効果トランジスタ、有機半導体結晶の製造方法、及び、有機半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016047587A1
,2017-04-27
[9]
有機半導体素子及びその製造方法、有機半導体組成物、並びに、有機半導体膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016098654A1
,2017-06-15
[10]
有機半導体材料及び電界効果トランジスタ並びにその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012033075A1
,2014-01-20
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