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半導体装置の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20160545153
申请日
:
2014-08-28
公开(公告)号
:
JPWO2016031004A1
公开(公告)日
:
2017-04-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/288
IPC分类号
:
C23C18/16
C23C18/18
H01L21/28
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013153777A1
,2015-12-17
[2]
半導体装置、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025144693A
,2025-10-03
[3]
半導体装置、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014037996A1
,2016-08-08
[4]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025141348A
,2025-09-29
[5]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
YONEDA SHUNICHI
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
YONEDA SHUNICHI
;
MATSUO KAZUNORI
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机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
MATSUO KAZUNORI
;
TODA MASAYA
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机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
TODA MASAYA
;
TAKAHASHI KOTA
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机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
TAKAHASHI KOTA
;
NAKADA SOYA
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机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
NAKADA SOYA
;
TORAYA KENICHIRO
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机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
TORAYA KENICHIRO
;
HOANG HA
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机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
HOANG HA
;
DOI TAKUMA
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机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
DOI TAKUMA
;
MORIYAMA WAKAKO
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0
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机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
MORIYAMA WAKAKO
.
日本专利
:JP2025047788A
,2025-04-03
[6]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
HIRASAKI TAKAHIDE
论文数:
0
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机构:
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
HIRASAKI TAKAHIDE
.
日本专利
:JP2025034631A
,2025-03-13
[7]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016189643A1
,2018-03-15
[8]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010150324A1
,2012-12-06
[9]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6509300B1
,2019-05-08
[10]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
NAGUMO YUJI
论文数:
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引用数:
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机构:
DENSO CORP
DENSO CORP
NAGUMO YUJI
;
UECHA MASAFUMI
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机构:
DENSO CORP
DENSO CORP
UECHA MASAFUMI
;
OKUDA MASARU
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机构:
DENSO CORP
DENSO CORP
OKUDA MASARU
.
日本专利
:JP2024081494A
,2024-06-18
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