イオン成分が固定化されたエラストマー材料およびその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20130538489

申请日：

2012-09-26

公开(公告)号：

JPWO2013054657A1

公开(公告)日：

2015-03-30

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C08L101/00

IPC分类号：

C08K3/22 C08K9/06

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共 50 条

[1]

エラストマー物品、組成物、およびそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019504924A ,2019-02-21

[2]

反応性イオン液体およびこれを用いたイオン固定化金属酸化物粒子、イオン固定化エラストマーならびにトランスデューサ[ja] [P].

日本专利 :JP5829329B2 ,2015-12-09

[3]

反応性イオン液体およびこれを用いたイオン固定化金属酸化物粒子、イオン固定化エラストマーならびにトランスデューサ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014156876A1 ,2017-02-16

[4]

反応性イオン液体およびこれを用いたイオン固定化金属酸化物粒子、イオン固定化エラストマーならびにトランスデューサ[ja] [P].

日本专利 :JP5926399B2 ,2016-05-25

[5]

反応性イオン液体およびこれを用いたイオン固定化金属酸化物粒子、イオン固定化エラストマーならびにトランスデューサ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013146357A1 ,2015-12-10

[6]

薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012053161A1 ,2014-02-24

[7]

陰イオン伝導材料およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015012078A1 ,2017-03-02

[8]

薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板、表示装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012124281A1 ,2014-07-17

[9]

含Ｃｒオーステナイト合金およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013146034A1 ,2015-12-10

[10]

薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja] [P].

PARK SUNG KYU ;

JEON SEONG PIL ;

KIM YONG-HOON ;

PARK BO YEON .

日本专利 :JP2024022494A ,2024-02-16

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