鉛−タングステンベースの酸化物を含有する厚膜ペーストおよび半導体デバイスの製造でのその使用[ja]

被引：0

申请号：

JP20170522047

申请日：

2015-10-19

公开(公告)号：

JP2017534560A

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C03C8/16

IPC分类号：

C03C3/07 C03C3/072 C03C3/12 C03C3/14 C03C3/145 H01B1/22 H01L31/0224

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

鉛およびテルル酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用[ja] [P].

日本专利 :JP5782112B2 ,2015-09-24

[2]

鉛−テルル−ホウ素−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用[ja] [P].

日本专利 :JP5746325B2 ,2015-07-08

[3]

鉛−テルル−リチウム−チタン−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用[ja] [P].

日本专利 :JP5711359B2 ,2015-04-30

[4]

酸化亜鉛ベースのバリスタ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016506079A ,2016-02-25

[5]

金属酸化物半導体ベースの発光デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2023525101A ,2023-06-14

[6]

酸化タングステンおよびタングステン混合酸化物の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7021091B2 ,2022-02-16

[7]

酸化タングステンおよびタングステン混合酸化物の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019504814A ,2019-02-21

[8]

半導体デバイスおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018109970A1 ,2019-10-24

[9]

低濃度ドーピングのエミッタを備えた半導体デバイスの製造における、鉛−テルルをベースとする酸化物を含有する導電性組成物の使用[ja] [P].

日本专利 :JP6185232B2 ,2017-08-23

[10]

酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、酸化物半導体膜、ならびに半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6977769B2 ,2021-12-08

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