薄膜トランジスタの製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20170525426
申请日
2016-12-08
公开(公告)号
JP6233548B1
公开(公告)日
2017-11-22
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L29/786 H01L51/05
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017110495A1 ,2017-12-28
[2]
[3]
有機薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006064776A1 ,2008-06-12
[4]
有機薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008132878A1 ,2010-07-22
[5]
トランジスタ、及び、トランジスタの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2016524819A ,2016-08-18
[10]
薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2005008785A1 ,2006-09-07