学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
薄膜トランジスタの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170525426
申请日
:
2016-12-08
公开(公告)号
:
JP6233548B1
公开(公告)日
:
2017-11-22
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
H01L29/786
H01L51/05
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017110495A1
,2017-12-28
[2]
薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010104005A1
,2012-09-13
[3]
有機薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006064776A1
,2008-06-12
[4]
有機薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008132878A1
,2010-07-22
[5]
トランジスタ、及び、トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016524819A
,2016-08-18
[6]
有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006054686A1
,2008-06-05
[7]
有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004023560A1
,2006-03-30
[8]
半導体材料、薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6217196B2
,2017-10-25
[9]
薄膜トランジスタ基板、薄膜トランジスタ基板の製造方法、及び、表示パネル[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016056204A1
,2017-07-13
[10]
薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005008785A1
,2006-09-07
←
1
2
3
4
5
→