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窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び窒化物系化合物半導体自立基板[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110527080
申请日
:
2011-01-31
公开(公告)号
:
JPWO2011093481A1
公开(公告)日
:
2013-06-06
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C30B25/18
IPC分类号
:
C30B25/14
C30B29/38
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
窒化物系化合物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP6174253B2
,2017-08-02
[2]
窒化物系化合物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015182283A1
,2017-04-20
[3]
窒化物系化合物半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP5656930B2
,2015-01-21
[4]
窒化物系化合物半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5768353B2
,2015-08-26
[5]
III族窒化物系化合物半導体、III族窒化物系化合物半導体の形成されたウエハ及びIII族窒化物系化合物半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP5895908B2
,2016-03-30
[6]
結晶成長装置、窒化物系化合物半導体結晶の製造方法及び窒化物系化合物半導体結晶[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011108640A1
,2013-06-27
[7]
化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6622106B2
,2019-12-18
[8]
化合物半導体基板、半導体装置及び化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6557538B2
,2019-08-07
[9]
n型III族窒化物系化合物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP5665094B2
,2015-02-04
[10]
窒化物系化合物半導体素子を製造する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016530700A
,2016-09-29
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