窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び窒化物系化合物半導体自立基板[ja]

被引:0
申请号
JP20110527080
申请日
2011-01-31
公开(公告)号
JPWO2011093481A1
公开(公告)日
2013-06-06
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C30B25/18
IPC分类号
C30B25/14 C30B29/38
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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