ＳｉＣエピタキシャル基板およびその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20090524405

申请日：

2008-03-11

公开(公告)号：

JPWO2009013914A1

公开(公告)日：

2010-09-30

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B19/04 H01L21/205 H01L21/208 H01L33/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日

法律状态

法律状态信息

共 12 条

[1]

電気二重層キャパシタ電極用活性炭およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014136936A1 ,2017-02-16

[2]

硫化リチウム粉末およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025538812A ,2025-11-28

[3]

多孔質炭素の製造方法および二酸化炭素分離方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025151122A ,2025-10-09

[4]

カーボンナノチューブの製造装置および製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025133315A ,2025-09-11

[5]

保護シートの製造方法及び保護シート[ja] [P].

NAKAMORI HIDEKI ;

HIRATSUKA MASANORI ;

TSUBOI HITOMI ;

SUZUKI TETSUYA ;

NAKAJIMA TAKESHI .

日本专利 :JP2024010696A ,2024-01-25

[6]

リチウム二次電池用負極活物質、及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022514906A ,2022-02-16

[7]

カーボンナノチューブの製造方法，カーボンナノチューブ製造用の単結晶基板，およびカーボンナノチューブ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011108545A1 ,2013-06-27

[8]

磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造に用いる炭素原料[ja] [P].

日本专利 :JP5876155B2 ,2016-03-02

[9]

磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造に用いる炭素原料[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014175392A1 ,2017-02-23

[10]

リチウム二次電池用負極活物質の製造方法、およびそれを含むリチウム二次電池[ja] [P].

日本专利 :JP2020532058A ,2020-11-05