メモリ素子の製造装置及び製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20120528170

申请日：

2011-11-22

公开(公告)号：

JPWO2012070551A1

公开(公告)日：

2014-05-19

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/304 H01L27/105 H10N99/00

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共 50 条

[1]

メモリセル及びその製造方法、メモリ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023535101A ,2023-08-16

[2]

メモリスタ素子およびその製造の方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018538701A ,2018-12-27

[3]

リンの製造方法及びリンの製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2021131231A1 ,2021-12-23

[4]

リンの製造方法及びリンの製造装置[ja] [P].

日本专利 :JP6967322B1 ,2021-11-17

[5]

微粒子の製造方法及び製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005066069A1 ,2007-07-26

[6]

メタノールの製造方法及び製造装置[ja] [P].

HIRANO YUICHIRO ;

KONO AYANO ;

TAKASAKI SATOSHI ;

TAKANO KAORI ;

SEKINE YASUSHI .

日本专利 :JP2025077237A ,2025-05-19

[7]

光学素子の製造方法及び光学素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019240040A1 ,2021-07-08

[8]

光学素子及び光学素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019240039A1 ,2021-07-26

[9]

分散体の製造方法及び製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016031695A1 ,2017-07-06

[10]

光学素子及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014196256A1 ,2017-02-23

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