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炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200535525
申请日
:
2018-12-22
公开(公告)号
:
JP2021508780A
公开(公告)日
:
2021-03-11
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C16/42
IPC分类号
:
C04B41/87
C30B25/18
C30B29/36
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2021508661A
,2021-03-11
[2]
炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2021509439A
,2021-03-25
[3]
炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2021508662A
,2021-03-11
[4]
炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2021508660A
,2021-03-11
[5]
炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2021508659A
,2021-03-11
[6]
転写可能薄膜層を製造するためのプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2021502949A
,2021-02-04
[7]
コーティングされた半導体ウエハを製造するための方法および装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2019519933A
,2019-07-11
[8]
半導体ウェーハを生産するためのプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2021516866A
,2021-07-08
[9]
生体アクティビティをアッセイするための微少流体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2017502257A
,2017-01-19
[10]
強誘電体材料の薄膜を準備するためのプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024544472A
,2024-12-03
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