高周波デバイス用シリカガラス及び高周波デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20190552729

申请日：

2018-10-29

公开(公告)号：

JPWO2019093182A1

公开(公告)日：

2020-11-26

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C03C3/06

IPC分类号：

C03C4/16 H01P1/207

代理机构：

代理人：

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国省代码：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

高周波デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006004156A1 ,2008-04-24

[2]

高周波デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7103807B2 ,2022-07-20

[3]

高周波デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2025140763A ,2025-09-29

[4]

高周波デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP5740253B2 ,2015-06-24

[5]

高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板[ja] [P].

日本专利 :JP6714884B2 ,2020-07-01

[6]

高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018051793A1 ,2019-06-24

[7]

高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板[ja] [P].

日本专利 :JP6860056B2 ,2021-04-14

[8]

高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板[ja] [P].

ONO KAZUTAKA ;

NOMURA SHUHEI ;

KIDERA NOBUTAKA ;

TAKESHITA NOBUHIKO .

日本专利 :JP2025124861A ,2025-08-26

[9]

高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板[ja] [P].

ONO KAZUTAKA ;

NOMURA SHUHEI ;

KIDERA NOBUTAKA ;

TAKESHITA NOBUHIKO .

日本专利 :JP2022159373A ,2022-10-17

[10]

高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板[ja] [P].

日本专利 :JP7694644B2 ,2025-06-18

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