抵抗素子の製造方法、抵抗素子および半導体装置[ja]

被引:0
申请号
JP20120079646
申请日
2012-03-30
公开(公告)号
JP5880215B2
公开(公告)日
2016-03-08
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01C17/12
IPC分类号
H01C7/00 H01L21/822 H01L27/04
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
[3]
抵抗素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6386723B2 ,2018-09-05
[4]
抵抗素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6457172B2 ,2019-01-23
[5]
抵抗体および抵抗素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012133074A1 ,2014-07-28
[6]
抵抗体および抵抗素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP5644940B2 ,2014-12-24
[7]
磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018139249A1 ,2019-12-12
[8]
抵抗素子およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6635054B2 ,2020-01-22
[9]
磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019150885A1 ,2020-02-06
[10]
磁気抵抗素子の製造方法、及び磁気抵抗素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP6616803B2 ,2019-12-04