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抵抗素子の製造方法、抵抗素子および半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120079646
申请日
:
2012-03-30
公开(公告)号
:
JP5880215B2
公开(公告)日
:
2016-03-08
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01C17/12
IPC分类号
:
H01C7/00
H01L21/822
H01L27/04
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
抵抗材料、抵抗素子および抵抗素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7671225B2
,2025-05-01
[2]
磁気抵抗素子、半導体メモリおよび磁気抵抗素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5779871B2
,2015-09-16
[3]
抵抗素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6386723B2
,2018-09-05
[4]
抵抗素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6457172B2
,2019-01-23
[5]
抵抗体および抵抗素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012133074A1
,2014-07-28
[6]
抵抗体および抵抗素子[ja]
[P].
日本专利
:JP5644940B2
,2014-12-24
[7]
磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018139249A1
,2019-12-12
[8]
抵抗素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6635054B2
,2020-01-22
[9]
磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019150885A1
,2020-02-06
[10]
磁気抵抗素子の製造方法、及び磁気抵抗素子[ja]
[P].
日本专利
:JP6616803B2
,2019-12-04
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