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半導体ウエハの評価方法、半導体ウエハの評価システム、プログラム、半導体ウエハの検査方法および半導体ウエハの検査システム[ja]
被引:0
申请号
:
JP20210057074
申请日
:
2021-03-30
公开(公告)号
:
JP6918434B1
公开(公告)日
:
2021-08-11
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G01N21/956
IPC分类号
:
H01L21/66
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体素子および半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013125126A1
,2015-07-30
[2]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7023438B1
,2022-02-21
[3]
半導体エピタキシャル構造および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2023519409A
,2023-05-10
[4]
半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009119356A1
,2011-07-21
[5]
ウエハ研磨システム、搭載方法及びその使用方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025510300A
,2025-04-14
[6]
半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009119357A1
,2011-07-21
[7]
窒化物エピタキシャルウェーハ、その製造方法、および半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2023525597A
,2023-06-16
[8]
半導体ウェーハの研磨方法及び研磨パッド整形治具[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010128631A1
,2012-11-01
[9]
半導体成長用基板、半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025174756A
,2025-11-28
[10]
半導体ウエハ収容カセットを処理するためのシステム、組み合わせ、および搬送する方法[ja]
[P].
ERIK TER VRUGT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ASM IP HOLDING BV
ASM IP HOLDING BV
ERIK TER VRUGT
.
日本专利
:JP2024023152A
,2024-02-21
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