半導体ウエハの評価方法、半導体ウエハの評価システム、プログラム、半導体ウエハの検査方法および半導体ウエハの検査システム[ja]

被引:0
申请号
JP20210057074
申请日
2021-03-30
公开(公告)号
JP6918434B1
公开(公告)日
2021-08-11
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
G01N21/956
IPC分类号
H01L21/66
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体素子および半導体素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013125126A1 ,2015-07-30
[2]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7023438B1 ,2022-02-21
[3]
半導体エピタキシャル構造および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023519409A ,2023-05-10
[5]
[8]
[10]
半導体ウエハ収容カセットを処理するためのシステム、組み合わせ、および搬送する方法[ja] [P]. 
ERIK TER VRUGT .
日本专利 :JP2024023152A ,2024-02-21