シクロヘキサデカ−８−エン−１−オンの精製方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20180517740

申请日：

2016-10-07

公开(公告)号：

JP2018529751A

公开(公告)日：

2018-10-11

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C07C45/32

IPC分类号：

C07C45/28 C07C45/79 C07C45/82 C07C47/40 C07C49/587 C07C49/597 C11B9/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

シクロヘキサノンオキシムの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2003010133A1 ,2004-11-18

[2]

シクロヘキサノンの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017524717A ,2017-08-31

[3]

シクロヘキサンの酸化方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015522611A ,2015-08-06

[4]

シクロヘキサンの酸化方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015522610A ,2015-08-06

[5]

シクロヘキサノン及びシクロヘキサノールの回収方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007066491A1 ,2009-05-14

[6]

ヘキサフルオロ−１，３−ブタジエンの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007125972A1 ,2009-09-10

[7]

低エンドトキシンのキトサンの製造方法[ja] [P].

CRAIG HARDY ;

ANDREW HOGGARTH ;

JUNE GLADMAN .

日本专利 :JP2022068318A ,2022-05-09

[8]

低エンドトキシンのキトサンの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016520157A ,2016-07-11

[9]

低エンドトキシンのキトサンの製造方法[ja] [P].

CRAIG HARDY ;

ANDREW HOGGARTH ;

JUNE GLADMAN .

日本专利 :JP2022068319A ,2022-05-09

[10]

低エンドトキシンのキトサンの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016520156A ,2016-07-11

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