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有機修飾金属酸化物または半金属酸化物高分子膜[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200544460
申请日
:
2019-02-21
公开(公告)号
:
JP2021514299A
公开(公告)日
:
2021-06-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
B05D7/24
IPC分类号
:
B32B9/00
C01B13/14
C01B13/32
C01B33/12
C01G23/04
C01G25/02
H01L51/50
H05B33/02
H05B33/04
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
有機修飾金属酸化物または半金属酸化物高分子膜[ja]
[P].
日本专利
:JP7416701B2
,2024-01-17
[2]
修飾金属酸化物ゾル[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011142130A1
,2013-07-22
[3]
修飾金属酸化物ゾル[ja]
[P].
日本专利
:JP5750436B2
,2015-07-22
[4]
修飾金属酸化物ナノ粒子[ja]
[P].
日本专利
:JP6326258B2
,2018-05-16
[5]
金属酸化物膜[ja]
[P].
日本专利
:JP5654648B2
,2015-01-14
[6]
金属酸化物膜[ja]
[P].
TAKAHASHI MASAHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
TAKAHASHI MASAHIRO
;
HIROHASHI TAKUYA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
HIROHASHI TAKUYA
;
TSUBUKI MASASHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
TSUBUKI MASASHI
;
OTA MASASHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
OTA MASASHI
.
日本专利
:JP2024010113A
,2024-01-23
[7]
金属修飾金属酸化物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7569971B2
,2024-10-21
[8]
金属酸化物膜[ja]
[P].
日本专利
:JP5919428B2
,2016-05-18
[9]
金属酸化物膜[ja]
[P].
日本专利
:JP5894702B1
,2016-03-30
[10]
金属酸化物膜[ja]
[P].
日本专利
:JP7550948B2
,2024-09-13
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