レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20200515597

申请日：

2019-04-26

公开(公告)号：

JPWO2019208761A1

公开(公告)日：

2021-05-13

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

G03F7/11

IPC分类号：

G03F7/26 H01L21/027

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共 50 条

[1]

レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014038680A1 ,2016-08-12

[2]

レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020111068A1 ,2021-10-28

[3]

レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019208212A1 ,2021-05-20

[4]

レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P].

NAKAHARA TAKAYOSHI ;

KOORI DAISUKE ;

BIYAJIMA YUSUKE .

日本专利 :JP2024123764A ,2024-09-12

[5]

レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法[ja] [P].

KOBAYASHI NAOKI ;

NAGAMACHI NOBUHIRO ;

ISHIWATA KENTA ;

KOORI DAISUKE .

日本专利 :JP2024129784A ,2024-09-27

[6]

感光性レジスト下層膜形成組成物及びレジストパターンの形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011086757A1 ,2013-05-16

[7]

レジスト下層膜材料、パターン形成方法、レジスト下層膜形成方法、及びレジスト下層膜材料用化合物[ja] [P].

日本专利 :JP6697416B2 ,2020-05-20

[8]

レジスト組成物及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025158084A ,2025-10-16

[9]

レジスト組成物及びパターン形成方法[ja] [P].

KIKUCHI SHUN ;

KUSAMA SATOSHI ;

HANDA RYUNOSUKE ;

OHASHI MASAKI .

日本专利 :JP2025118531A ,2025-08-13

[10]

レジスト組成物及びパターン形成方法[ja] [P].

OTOMO YUTARO ;

KOBAYASHI TOMOHIRO .

日本专利 :JP2024022755A ,2024-02-21

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