酸化物半導体膜の作製方法[ja]

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申请号
JP20150093837
申请日
2015-05-01
公开(公告)号
JP6681151B2
公开(公告)日
2020-04-15
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C23C14/35
IPC分类号
C23C14/34 H01L21/336 H01L21/363 H01L29/786 H10B12/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6126156B2 ,2017-05-10
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酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5897485B2 ,2016-03-30
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酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6598959B2 ,2019-10-30